DRIVER CIRCUIT FOR BRIDGE CIRCUIT EMPLOYING A BOOTSTRAP DIODE EMULATOR
A half-bridge driver circuit including a lower drive module and a floating upper drive module for driving respective external upper and lower power transistors of a high voltage half bridge is contained in an integrated circuit chip which includes an on-chip bootstrap diode emulator for charging an...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; spa |
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Zusammenfassung: | A half-bridge driver circuit including a lower drive module and a floating upper drive module for driving respective external upper and lower power transistors of a high voltage half bridge is contained in an integrated circuit chip which includes an on-chip bootstrap diode emulator for charging an external bootstrap capacitor that powers the upper drive module. The upper drive is accommodated in an insulated well and the diode emulator includes as its main current carrying element, an LDMOS transistor formed along the periphery of the well. The LDMOS transistor is driven into a conducting state at the same time the lower power transistor is driven into a conducting state. A clamp and current source solidly bias the backgate of the LDMOS while limiting the current drawn by a parasitic transistor attached to the backgate during startup of the LDMOS.
Un circuito impulsor de medio puente que incluye un modulo impulsor inferior y un modulo impulsor superior florante para impulsar a los respectivos transistores de energía superior e inferior de un medio puente de alto voltaje está contenido en un chip de circuito integrado que incluye un emulador de diodo autoelevador en el chip para cargar un capacitor autoelevador externo que da energía al modulo impulsor superior. El impulsor superior está acomodado en una cavidad aislada y el emulador de diodo incluye como su principal elemento de transporte de corriente, un transistor LDMOS formado a lo largo de la periferia de la cavidad. El transistor LDMOS es impulsado a un estado de conduccion al mismo tiempo que el transistor de energía inferior es impulsado hacia un estado de conduccion. Un fijador y un generador de corriente derivan solidamente la compuerta posterior del LDMOS al mismo tiempo que limitan la corriente que es atraída por un transistor parásito que está unido a la compuerta posterior durante el arranque del LDMOS. |
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