COMPOSITE SUBSTRATE FOR LAYERED HEATERS

A method of forming a heater assembly for use in semiconductor processing includes thermally securing a heater substrate to an application substrate; and applying a layered heater to the heater substrate after the heater substrate is secured to the application substrate. The application of the layered heater includes applying a first dielectric layer onto the heater substrate, applying a resistive heating layer onto the first dielectric layer, and applying a second dielectric layer onto the resistive heating layer. The heater substrate defines a material having a coefficient of thermal expansion that is matched to a coefficient of thermal expansion of at least one of the first dielectric layer and a coefficient of thermal expansion of the resistive heating layer. Un método para la formación de un ensamble de calefactor para utilizarse en procesamiento de semiconductor incluye el aseguramiento térmico de un sustrato de calefactor a un sustrato de aplicación; y la aplicación de un calefactor estratificado al sustrato de calefactor después de que el sustrato de calefactor se asegura al sustrato de aplicación. La aplicación del calefactor estratificado incluye la aplicación de un primer estrato dieléctrico sobre el sustrato de calefactor, la aplicación de un estrato de calentamiento resistivo sobre el primer estrato dieléctrico, y la aplicación de un segundo estrato dieléctrico sobre el estrato de calentamiento resistivo. El sustrato de calefactor define un material que tiene un coeficiente de expansión térmica que se iguala a un coeficiente de expansión térmica de al menos uno del primer estrato dieléctrico y un coeficiente de expansión térmica del estrato de calentamiento resistivo.