METHOD FOR RAPID ANNEALING OF A STACK OF THIN LAYERS CONTAINING AN INDIUM OVERLAY
The invention relates to a heat treatment method involving irradiating a substrate, comprising a sheet of glass coated on one of the surfaces thereof with a stack of thin layers, in an atmosphere containing oxygen (O2), with electromagnetic radiation having a wavelength between 500 and 2000 nm, said...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; spa |
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Zusammenfassung: | The invention relates to a heat treatment method involving irradiating a substrate, comprising a sheet of glass coated on one of the surfaces thereof with a stack of thin layers, in an atmosphere containing oxygen (O2), with electromagnetic radiation having a wavelength between 500 and 2000 nm, said electromagnetic radiation coming from an emission device placed opposite the stack of thin layers, a relative movement being created between said emission device and said substrate so as to heat the stack of thin layers to a temperature of at least 300°C for a brief period of less than one second, preferably less than 0.1 second. Said method is characterized in that the last layer in the stack, in contact with the atmosphere, referred to as the overlay, is a metal layer of indium or an indium alloy. The invention also relates to a substrate for implementing this method and a substrate obtainable by this method.
Un objeto de la invención es un proceso de tratamiento térmico que comprende irradiar un sustrato que comprende una lámina de vidrio recubierta en una de sus caras con una pila de capas finas, bajo una atmósfera que contiene oxígeno (O2), con radiación electromagnética que tiene una longitud de onda comprendida entre 500 y 2.000 nm, siendo emitida dicha radiación electromagnética por un dispositivo emisor colocado frente a la pila de capas delgadas, creando un movimiento relativo entre dicho dispositivo emisor y dicho sustrato, para elevar la pila de capas delgadas a una temperatura al menos igual a 300°C por un breve período más corto que un segundo y preferiblemente más corto que 0.1 segundos, caracterizándose dicho proceso porque la última capa de la pila, que hace contacto con la atmósfera, llamada la capa superior, es una capa de metal de indio o de una aleación a base de indio. Otros objetivos de la invención son un sustrato para la implementación de este proceso y un sustrato que se puede obtener con este proceso. |
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