BISMUTH AND COBALT DOPED SAMARIUM FERRITE TYPE MATERIAL FOR THE FORMATION OF FILMS AND USE AS GAS SENSORS

The present disclosure is related to a novel bismuth and cobalt doped samarium ferrite type material (Sm0.8Bi0.2Fe0.95Co0.05O3), for applying the same in gas sensors. The materials are obtained by a combustion method assisted by a surfactant at a temperature of 384°C, allowing to obtain nanoparticle...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ISAEN BERENICE DZUL BAUTISTA, VIRGILIO ANGEL GONZALEZ GONZALEZ, NETZAHUALPILLE HERNANDEZ NAVARRO, Rene Fabian CIENFUEGOS PELAES
Format: Patent
Sprache:eng ; spa
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The present disclosure is related to a novel bismuth and cobalt doped samarium ferrite type material (Sm0.8Bi0.2Fe0.95Co0.05O3), for applying the same in gas sensors. The materials are obtained by a combustion method assisted by a surfactant at a temperature of 384°C, allowing to obtain nanoparticles smaller than 60 nm with a corresponding Pbnm crystal structure, an orthorhombic perovskite-type structure. Thin films are produced by the laser pulse deposition method, retaining the manometric structure of the synthesized material at low temperatures; formed by columnar structures of up to 100 nm in diameter and 900 nm in height. The thin films exhibit conductivities of 28 S/cm at 200°C and 61 S/cm at 400°C. Furthermore, presenting a polarization resistance of 0.05 ohm at 400°C. La presente invención se refiere a un nuevo material tipo ferrita de samario dopados con bismuto y cobalto (Sm0.8Bi0.2Fe0.95Co0.05O3 ), para aplicación en sensores de gas. Los materiales se obtienen por un método de combustión asistido por un surfactante a una temperatura de 384 °C, esto permite obtener nanopartículas menores a 60 nm con estructura cristalina de Pbnm correspondiente una estructura tipo perovskita ortorrómbica. Se fabrican películas delgadas por método de deposición por pulsos de láser, que conservan la estructura manométrica del material sintetizado a bajas temperaturas están formadas de estructuras columnares de hasta 100 nm de diámetro y 900 nm de altura. Las películas delgadas presentan conductividades de 28 S/cm a 200 °C y 61 S/cm a 400 °C. Además presentan una resistencia de polarización de 0.05 ohm a 400 °C.