SILICON DETECTOR EXTENDING THE SILICON SENSIBILITY FROM ABOUT 200 NM TO ABOUT 1100 NM WITH HIGH EFFICIENCY

The silicon technology is without a doubt the most cost effective and mature of the technologies; therefore the silicon photo detectors are the most cost effective and easy to manufacture photo detectors. However, silicon has limitations to detect radiations under 400 nm (UV). Described herein is the development and characterization of a SRO silicon sensor having a high efficiency in the UV region of an electromagnetic spectrum being within a range of from about 200 nm to about 400 nm. The developed device includes a SRO (Silicon Rich Oxide) film with a silicon photodiode, wherein the manufacturing process thereof is totally compatible with the silicon technology. The main advantages of the invention are that it is silicon compatible and the manufacturing process thereof is simple and cost effective. La tecnología de silicio es sin lugar a dudas la más económica y madura, y por tanto los foto-detectores de silicio son los más económicos y simples de fabricar. Sin embargo, el silicio tiene limitaciones para detectar radiación debajo de 400 nm (UV). Aquí se presenta el desarrollo y caracterización de un sensor de Silicio con SRO que presenta una alta eficiencia en la región Ultravioleta del espectro electromagnético en el rango de 200-400 nm. El dispositivo desarrollado es una integración de una película de SRO (óxido de silicio rico en silicio) con un fotodiodo de silicio y donde el proceso de fabricación es totalmente compatible con la tecnología de silicio. Tiene como principales ventajas su compatibilidad con el silicio, su proceso de fabricación muy simple y su costo muy económico .