The method of making epitaxy layers of phosphide indium from gaz phase

The invention relates to the semiconductor technique and may be used for obtaining the indium phosphide epitaxial layers having controlled electrophysical parameters.For removing the source material losses during phosphor saturation thereof and for providing the gase khase compound control by means of the proposed process, including the equipment preparation, bases chemical etching, reactor blow-down within the hydrogen, trichloride thermostatic control, source and bases heating, bases gas etching, the layers growing is conducted by using as source simultaneusly the liquid indium and the solid indium phosphide, located in the separate channels.The technical result of the invention, consists in indium losses prevention at its saturation with phosphor and in the improvement of the epitaxial layers parameters reproduction by the controlled elements proportioning in the gas phase. Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată la obţinerea straturilor epitaxiale de fosfură de indiu cu parametrii electrofizici dirijabili.Pentru excluderea pierderilor de material al sursei în procesul de saturaţie a ei cu fosfor şi asigurarea dirijabilităţii compoziţiei fazei gazoase prin intermediul procedeului solicitat, care include pregătirea utilajului, decaparea chimică a substraturilor, purjarea reactorului cu hidrogen, termostatarea triclorurii, încălzirea sursei şi a substraturilor, decaparea gazoasă a substraturilor, creşterea straturilor se efectuează utilizând concomitent sursele de indiu lichid şi fosfură de indiu solidă, amplasate în canale diferite.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în reducerea considerabilă a pierderilor de indiu în procesul de saturaţie a lui cu fosfor şi ameliorarea reproductibilităţii parametrilor electrofizici ai straturilor epitaxiale, datorită dozării dirijate a elementelor în fază gazoasă. Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев фосфида индия с управляемыми электрофизическими параметрами.Для устранения потерь материала источника в процессе его насыщения фосфором и обеспечения управляемости составом газовой фазы с помощью заявляемого способа, включающего подготовку оснастки, химическое травление подложек, продувку реактора водородом, термостатирование трихлорида, нагрев источника и подложек, газовое травление подложек, рост слоев проводят используя в качестве источников одновременно жидкий индий и твердый фосфид индия, расположенные в отд