Method for rapid growth of monocrystals Sb

The invention relates to the production of single crystals, namely to a method for rapid growth of monocrystals Sb.The method, according to the invention, consists in that it is carried out growth of monocrystal from molten metal (4) in a quartz ampoule (2), the bottom of which is made cone-shaped with an angle of 40°, placed in an oven (1), connected to an electronic device to keep therein the constant temperature of 300°C during the entire growth process with a temperature gradient equal to 7°C/cm. The first core of crystallization of Sb, which serves as a starting point for oriented growth, is situated so that the third-order axis may form with the ampoule axis an angle of 20°. Invenţia se referă la domeniul de producere a monocristalelor, şi anume la un procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb.Procedeul, conform invenţiei, constă în aceea că se efectuează creşterea monocristalului din metal topit (4) într-o fiolă din cuarţ (2), fundul căreia este executat în formă de con cu un unghi de 40°, amplasată într-o sobă (1), conectată la un dispozitiv electronic pentru menţinerea în ea a unei temperaturi constante de 300°C pe parcursul întregului proces de creştere cu un gradient de temperatură egal cu 7°C/cm. Primul nucleu de cristalizare al Sb, care serveşte drept început pentru creşterea orientată, se aranjează în aşa mod, încât axa de gradul trei să formeze cu axa fiolei un unghi de 20°. Изобретение относится к области производства монокристаллов, а именно к способу быстрого выращивания монокристаллов Sb.Способ, согласно изобретению, состоит в том, что осуществляют выращивание монокристалла из расплавленного металла (4) в кварцевой ампуле (2), дно которой выполнено конусообразным с углом 40°, помещенной в печь (1), подключенную к электронному устройству для поддержания в ней постоянной температуры в 300°С в течение всего процесса выращивания с градиентом температуры равным 7°С/см. Первое ядро кристаллизации Sb, которое служит началом для ориентированного роста, расположено таким образом, чтобы ось третьего порядка образовала с осью ампулы угол 20°.