Process for increasing the efficiency of photovoltaic cells based on p+InP-p-InP-n+CdS

The invention relates to semiconductor technology and can be used, in particular, in photoelectric converters.The process for increasing the efficiency of photovoltaic cells based on p+InP-p-InP-n+CdS involves the growth of the p-InP layer on a substrate, made in the form of a p+InP board with the crystallographic orientation (100), disorientation of 3...5° in the direction ( 110) and the charge carrier concentration of 1018 cm-3, deposition, on the frontal part of the board, using the method of quasi-closed volume of the n+CdS layer, deposition of an ohmic contact of Ag+Zn on the reverse side of the board, its thermal treatment at a temperature of 450°C, deposition of an ohmic contact of In onto the n+CdS layer, its thermal treatment at a temperature of 250°C and deposition by the pulverization method, at a temperature of 300°C, of a ZnO antireflection layer. Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată, în special, în convertoarele fotovoltaice.Procedeul de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS include creşterea stratului p-InP pe un substrat, executat în formă de plachetă din p+InP cu orientarea cristalografică (100), dezorientarea de 3...5° în direcţia (110) şi concentraţia purtătorilor de sarcină de 1018 cm-3, depunerea, pe partea frontală a plachetei, prin metoda volumului cuaziînchis a stratului n+CdS, depunerea pe partea posterioară a unui contact ohmic din Ag+Zn, tratarea termică a lui la temperatura de 450°C, depunerea unui contact ohmic din In pe stratul din n+CdS, tratarea termică a lui la temperatura de 250°C şi depunerea prin metoda pulverizării, la temperatuta de 300°C, a unui strat antireflector de ZnO. Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано, в частности, в фотоэлектрических преобразователях.Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS включает рост слоя p-InP на подложке, выполненной в виде платы из p+InP с кристаллографической ориентацией (100), разориентацией 3...5° в направлении (110) и с концентрацией носителей заряда 1018 см-3, нанесение, на фронтальную часть платы, методом квазизакрытого объема слоя n+CdS, нанесение на обратную сторону платы омического контакта из Ag+Zn, его термическую обработку при температуре 450°C, нанесение омического контакта из In на слой n+CdS, его термическую обработку при температуре 250°C и нанесение методом пульверизации, при температуре 300°C, антиотражающего слоя Zn