Method for growth of n+-p-p+ InP structure for solar cells

The invention relates to semiconductor technology and can be used in solar radiation conversion devices.The method for growth of n+-p-p+ InP structure for solar cells comprises growth of epitaxial layer pInP on p+InP substrates with the crystallographic orientation (100), the disorientation of 3...5° toward (110) and the charge carrier concentration of 1...3·1018 cm-3, growth of epitaxial layer n+InP and deposition of ohmic contacts. The n+InP layer is grown after the gas etching of the reactor and the epitaxial layer pInP. Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată la dispozitive de conversie a radiaţiei solare.Procedeul de creştere a structurii n+-p-p+InP pentru celule solare include creşterea stratului epitaxial pInP pe un substrat de p+InP cu orientarea cristalografică (100), dezorientarea de 3...5° în direcţia (110) şi concentraţia purtătorilor de sarcină de 1...3·1018 cm-3, creşterea stratului epitaxial de n+InP şi depunerea contactelor ohmice. Stratul n+InP este crescut după corodarea gazoasă a reactorului şi a stratului epitaxial de pInP. Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в устройствах для преобразования солнечного излучения.Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей включает рост эпитаксиального слоя pInP на подложках p+InP с кристаллографической ориентацией (100), дезориентацией 3...5° в сторону (110) и с концентрацией носителей заряда 1...3·1018 см-3, рост эпитаксиального слоя n+InP и нанасение омических контактов. Слой n+InP выращен после газового травления реактора и эпитаксиального слоя pInP.