Process for obtaining fulleren layers

Inventia se refera la tehnologiile de obtinere a straturilor de semiconductori, in special pentru obtinerea straturilor de fullerene C60, C70 si de ordin superior, de puritate inalta si dopate, in stare amorfa, policristalina si monocristalina, de grosimi relativ mari, destinate pentru confectionarea elementelor de memorie cu densitate supra-inalta a informatiei, ecranelor de protectie, surselor de energie, elementelor electronice si optoelectronice. Procedeul, conform inventiei, consta in aceea ca include sublimarea fullerenelor prin incalzire in zona de evaporare pana la temperaturi ce depasesc temperatura de cristalizare, crearea gradientilor pozitivi de temperatura si condensarea vaporilor pe un suport. Obtinerea straturilor de fullerene are loc in volum inchis divizat in zone independente cu temperaturi uniforme. Sublimarea fullerenelor, si optional a substantelor (compozitelor) dopante, se realizeaza pana la vapori saturati si presiuni partiale constante. Trecerea vaporilor din zonele de sublimare in zona de condensare are loc printr-o sectiune de orientare. Gradientii de temperatura dintre zone sunt stabiliti in functie de conditiile de condensare a vaporilor pe suportul incalzit uniform si viteza de crestere a straturilor. Rezultatul aplicarii procedeului consta in obtinerea straturilor de fullerene de puritate inalta si a straturilor compozite cu componenta bine determinata, cu grosimi uniforme in limite mari, omogene ca structura, cu distributie uniforma a elementelor dopante, cu proprietati electrice si optice constante.