Method for producing epitaxial TiO2 thin layers

The invention relates to the semiconductor manufacturing technology, and can be used for manufacturing optoelectronic devices.The method for producing epitaxial TiO2 thin layers comprises degreasing a glass substrate in toluene, drying it in isopropyl alcohol vapors and placing it in a chemical vapor deposition reactor, which is purged with argon for 20 min at a flow rate of 100 cm3/min, after which the temperature of the substrate is increased up to 400°C. The method also includes the formation of titanium isopropoxide vapors by bubbling at a temperature of 90°C. The deposition of epitaxial TiO2 layers is carried out by separately feeding into the reactor titanium isopropoxide vapors, carried by an argon flow at a speed of 40 cm3/min, and an oxygen flow at a speed of 40 cm3/min, for 30 min. Invenţia se referă la tehnologia de obţinere a semiconductoarelor, şi poate fi utilizată pentru fabricarea dispozitivelor optoelectronice.Procedeul de obţinere a straturilor epitaxiale subţiri de TiO2 include degresarea unui substrat de sticlă în toluen, uscarea lui în vapori de alcool izopropilic şi plasarea acestuia într-un reactor de depunere chimică din faza de vapori, care se purjează cu argon timp de 20 min cu viteza fluxului de 100 cm3/min, apoi se măreşte temperatura substratului până la 400°C. Procedeul mai include producerea vaporilor de izopropoxid de titan prin barbotare la temperatura de 90°C. Depunerea straturilor epitaxiale de TiO2 se realizează prin debitarea separată în reactor a vaporilor de izopropoxid de titan, transportaţi cu un flux de argon cu viteza de 40 cm3/min, şi unui flux de oxigen cu viteza de 40 cm3/min, timp de 30 min. Изобретение относится к технологии получения полупроводников, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов.Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 включает обезжиривание стеклянной подложки в толуоле, ее сушку в парах изопропилового спирта и помещение этой в реактор химического осаждения из паровой фазы, который продувают аргоном в течение 20 мин при скорости потока 100 см3/мин, после чего повышают температуру подложки до 400°С. Способ еще включает образование паров изопропоксида титана барботированием при температуре 90°С. Осаждение эпитаксиальных слоев TiO2 осуществляют путем раздельной подачи в реактор паров изопропоксида титана, переносимые потоком аргона при скорости 40 см3/мин, и потока кислорода при скорости 40 см3/мин, в течение 30 мин.