Carrier for registration of optic images and holographic information

The invention relates to the silverless semi-conductive photography.The carrier consists of the dielectric support with subsequently situated thereon first electrode, photoinjective layer of P-type conductivity, chalcogenide vitreous semiconductor layer and the second electrode in which the photoinjection layer is made of ten interchangable semi-layer pairs, the lower one is manufactured of As2Se3 with a thickness of 8-10 nm and the upper one - of In2S3 with a thickness of 10-12 nm or In2Se3 with a thickness of 40-50 nm, the registration layer having a thickness of 0,2-0,5 µm, and the second electrode is manufactured of aluminium and has a thickness of 10-50 nm.The result consists in increasing the light sensibility of the information carrier. Invenţia se referă la domeniul fotografiei cu semiconductori fără argint.Purtătorul conţine un substrat dielectric pe care consecutiv sunt plasaţi primul electrod, un strat fotoinjector cu conductibilitatea de tip p, un strat de semiconductor calcogenic vitros şi al doilea electrod, în care stratul fotoinjector este confecţionat din zece perechi de semistraturi alternându-se, cel inferior este confecţionat din As2Se3 cu grosimea de 8-10 nm, iar cel superior din In2S3 cu grosimea de 10-12 nm sau din In2Se3 cu grosimea de 40-50 nm, stratul de imprimare având grosimea de 0,2-0,5 µm, iar al doilea electrod fiind confecţionat din aluminiu cu grosimea de 10-50 nm.Rezultatul constă în majorarea sensibilităţii la lumină a purtătorului de informaţie. Изобретение относится к бессеребряной полупроводниковой фотографии.Носитель состоит из диэлектрической подложки с последовательно расположенными на ней первым электродом, фотоинжекционным слоем р-типа проводимости, слоем халькогенидного стеклообразного проводника и второго проводника, в котором его фотоинжекционный слой выполнен из десяти чередующихся пар полуслоев, нижний из которорых выполнен из As2Se3 с толщиной 8-10 нм, а верхний из In2S3 - с толщиной 10-12 нм или In2Se3 с толщиной 40-50 нм, причем регистрирующий слой имеет толщину 0,2-0,5 мкм, а второй электрод выполнен из алюминия и имеет толщину, равную 10-50 нм.Результат состоит в повышении светочувствительности носителя информации.