Bismuth-based thermoelectric material

The invention relates to a technology for producing bismuth-based thermoelectric materials, which can be used for producing thermoelectric energy in extreme conditions.The bismuth-based thermoelectric material, according to the invention, contains tin-doped bismuth with a concentration of 0.02%atm. Sn and is made by the Ulitkovsky method in the form of a filament in glass insulation with a diameter of 85 nm.The result of the invention consists in increasing the value of the thermoelectric power factor. Invenţia se referă la tehnologia de obţinere a materialelor termoelectrice pe bază de bismut, care pot fi folosite la obţinerea energiei termoelectrice în condiţii extremale.Materialul termoelectric pe bază de bismut, conform invenţiei, conţine bismut dopat cu staniu cu concentraţia de 0,02%at. Sn şi este executat prin metoda Ulitovskii în formă de fir în izolaţie de sticlă cu diametrul de 85 nm.Rezultatul invenţiei constă în sporirea valorii factorului termoelectric de putere. Изобретение относится к технологии получения термоэлектрических материалов на основе висмута, которые могут быть использованы для получения термоэлектрической энергии в экстремальных условиях.Термоэлектрический материал на основе висмута, согласно изобретению, содержит висмут легированный оловом с концентрацией 0,02%ат. Sn и выполнен по методу Улитковского в виде нити в стеклянной изоляции с диаметром 85 нм.Результат изобретения состоит в повышении значения термоэлектрического фактора мощности.