Process for producing a single-crystal bismuth-antimony semiconductor with zero forbidden energy band width

The invention relates to semiconductor production technology, in particular to processes for producing single-crystal semiconductors with zero forbidden energy band width from semimetals.The process for producing a single-crystal bismuth-antimony semiconductor with zero forbidden energy band width comprises smooth elastic compression of a single-crystal semiconductor wire of bismuth-antimony, with antimony concentration of 3.5 at. %, with a tensile device, wherein the wire is fixed perpendicular to the tensile force vector, while measuring the electrical resistance of the wire at room temperature until plastic compression is achieved. Invenţia se referă la tehnologia de obţinere a semiconductorilor, în special la procedee de obţinere a semiconductorilor monocristalini cu lăţimea benzii energetice interzise nulă din semimetale.Procedeul de obţinere a semiconductorului monocristalin de bismut-stibiu cu lăţimea benzii energetice interzise nulă include comprimarea elastică lină a unui fir monocristalin semimetalic de bismut-stibiu, cu concentraţia stibiului de 3,5% at., cu ajutorul unui dispozitiv de întindere, în care firul este fixat perpendicular vectorului forţei de întindere, cu măsurarea concomitentă a rezistenţei electrice a firului la temperatura camerei până la atingerea comprimării plastice. Изобретение относится к технологии получения полупроводников, в частности к способам получения монокристаллических полупроводников с нулевой шириной запрещенной энергетической зоны из полуметаллов.Способ получения монокристаллического полупроводника висмута-сурьма с нулевой шириной запрещенной энергетической зоны включает плавное упругое сжатие монокристаллического полуметаллического провода висмута-сурьмы, с концентрацией сурьмы 3,5 ат. %, с помощью устройства растяжения, в котором провод закреплен перпендикулярно вектору силы растяжения, с одновременным измерением электрического сопротивления провода при комнатной температуре до достижения пластичного сжатия.