التوليف والخصائص الفيزيائية للجسيمات النانوية ل ferrite sn1-x mexfe2o4 (me=co, ni, mn
.يوفر هذا الاختراع المواد والمواد النانوية للإسبنيل فريت مع الفلزات الانتقالية (co، mn، ni،...). يتم تحسين المغنطة المتبقية، المغنطة بالتشبع،المجال القسري، حرارة الانتقال و حرارة توقيف المواد والمواد النانوية للإسبنيل فريت بتركيز الأيونات المغناطيسية وحجم الجسيمات الدقيقة بغية تحقيق الخصائص اللازمة...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | ara ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | .يوفر هذا الاختراع المواد والمواد النانوية للإسبنيل فريت مع الفلزات الانتقالية (co، mn، ni،...). يتم تحسين المغنطة المتبقية، المغنطة بالتشبع،المجال القسري، حرارة الانتقال و حرارة توقيف المواد والمواد النانوية للإسبنيل فريت بتركيز الأيونات المغناطيسية وحجم الجسيمات الدقيقة بغية تحقيق الخصائص اللازمة للتطبيقات التكنولوجية المحددة جيدا كالإلكترونيك أو إلكترونيك اللف الغزلي ، والترددات العالية.
Cette invention fournit des matériaux et nanomatériaux spinelles ferrites à base d'étain dopés avec des métaux de transition (co, mn, ni, ...). L'aimantation résiduelle, l'aimantation à saturation, le champ coercitif, la température de transition et la température de blocage des matériaux et nanomatériaux spinelles ferrites sont optimisés par la concentration des ions magnétiques et la taille des manoparticules afin d'atteindre les caractéristiques requises pour des applications technologiques bien définies comme l'électroniques, spintroniques et hyperfréquences.
The invention relates to superparamagnetic nanoparticles containing Sn doped Co-Ni-Mn spinel ferrites. The residual magnetisation, the saturation magnetisation, the coercive field, the transition temperature and the blocking temperature of the Sn doped spinel ferrite superparamegnetic nanoparticles are optimised by the concentration of magnetic ions and the size of the nanoparticles, made at a low temperature, in order to obtain the characteristics required for well defined technological uses, such as in the fields of electronics, spintronics and microwave frequencies. |
---|