Systèmes et procédés de formation de cellules solaires avec des films cuinse2 et cu(in,ga)se

Systèmes et procédés de formation de cellules solaires avec des films cuinse2 et cu(in,ga)se

Des systèmes et des procédés permettant de former des cellules solaires à base de films cuinse2 et cu(in,ga)se2 sont décrits par la présente invention. Dans un mode de réalisation, un procédé comprend les étapes suivantes : au cours d'une première étape (220), la réalisation d'un transport...

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Hauptverfasser: ALBIN, DAVID, S, ROMERO, MANUEL, JIMENEZ, SEBASTIAN CAPARROS, VORA, NIRAV, GUTIERREZ, JOAQUIN MURILLO, CORTEZON, EMILIO SANCHEZ
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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CORTEZON, EMILIO SANCHEZ
description Des systèmes et des procédés permettant de former des cellules solaires à base de films cuinse2 et cu(in,ga)se2 sont décrits par la présente invention. Dans un mode de réalisation, un procédé comprend les étapes suivantes : au cours d'une première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 225) pour déposer un film semi-conducteur (212, 232, 252) sur un substrat (114, 210, 230, 250) ; le chauffage du substrat (114, 210, 230, 250) et du film semi-conducteur à une température souhaitée (112) ; au cours d'une deuxième étape (240) suivant la première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure de cuivre (cuclx) en phase vapeur (143, 243) et de vapeur de se (121, 245) au film de semi-conducteur (212, 232, 252) ; et au cours d'une troisième étape (260) suivant la deuxième étape (240), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 265) au film de semi-conducteur (212, 232, 252). Systems and methods for forming solar cells with CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 films are provided. In one embodiment, a method comprises: during a first stage (220), performing a mass transport through vapor transport of an indium chloride (InClx) vapor (143, 223) and Se vapor (121, 225) to deposit a semiconductor film (212, 232, 252) upon a substrate (114, 210, 230, 250); heating the substrate (114, 210, 230, 250) and the semiconductor film to a desired temperature (112); during a second stage (240) following the first stage (220), performing a mass transport through vapor transport of a copper chloride (CuClx) vapor (143, 243) and Se vapor (121, 245) to the semiconductor film (212, 232, 252); and during a third stage (260) following the second stage (240), performing a mass transport through vapor transport of an indium chloride (InClx) vapor (143, 263) and Se vapor (121, 265) to the semiconductor film (212, 232, 252).
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Dans un mode de réalisation, un procédé comprend les étapes suivantes : au cours d'une première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 225) pour déposer un film semi-conducteur (212, 232, 252) sur un substrat (114, 210, 230, 250) ; le chauffage du substrat (114, 210, 230, 250) et du film semi-conducteur à une température souhaitée (112) ; au cours d'une deuxième étape (240) suivant la première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure de cuivre (cuclx) en phase vapeur (143, 243) et de vapeur de se (121, 245) au film de semi-conducteur (212, 232, 252) ; et au cours d'une troisième étape (260) suivant la deuxième étape (240), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 265) au film de semi-conducteur (212, 232, 252). Systems and methods for forming solar cells with CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 films are provided. In one embodiment, a method comprises: during a first stage (220), performing a mass transport through vapor transport of an indium chloride (InClx) vapor (143, 223) and Se vapor (121, 225) to deposit a semiconductor film (212, 232, 252) upon a substrate (114, 210, 230, 250); heating the substrate (114, 210, 230, 250) and the semiconductor film to a desired temperature (112); during a second stage (240) following the first stage (220), performing a mass transport through vapor transport of a copper chloride (CuClx) vapor (143, 243) and Se vapor (121, 245) to the semiconductor film (212, 232, 252); and during a third stage (260) following the second stage (240), performing a mass transport through vapor transport of an indium chloride (InClx) vapor (143, 263) and Se vapor (121, 265) to the semiconductor film (212, 232, 252).</description><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20150227&amp;DB=EPODOC&amp;CC=MA&amp;NR=20150060A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20150227&amp;DB=EPODOC&amp;CC=MA&amp;NR=20150060A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ALBIN, DAVID, S</creatorcontrib><creatorcontrib>ROMERO, MANUEL</creatorcontrib><creatorcontrib>JIMENEZ, SEBASTIAN CAPARROS</creatorcontrib><creatorcontrib>VORA, NIRAV</creatorcontrib><creatorcontrib>GUTIERREZ, JOAQUIN MURILLO</creatorcontrib><creatorcontrib>CORTEZON, EMILIO SANCHEZ</creatorcontrib><title>Systèmes et procédés de formation de cellules solaires avec des films cuinse2 et cu(in,ga)se</title><description>Des systèmes et des procédés permettant de former des cellules solaires à base de films cuinse2 et cu(in,ga)se2 sont décrits par la présente invention. Dans un mode de réalisation, un procédé comprend les étapes suivantes : au cours d'une première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 225) pour déposer un film semi-conducteur (212, 232, 252) sur un substrat (114, 210, 230, 250) ; le chauffage du substrat (114, 210, 230, 250) et du film semi-conducteur à une température souhaitée (112) ; au cours d'une deuxième étape (240) suivant la première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure de cuivre (cuclx) en phase vapeur (143, 243) et de vapeur de se (121, 245) au film de semi-conducteur (212, 232, 252) ; et au cours d'une troisième étape (260) suivant la deuxième étape (240), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 265) au film de semi-conducteur (212, 232, 252). 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Dans un mode de réalisation, un procédé comprend les étapes suivantes : au cours d'une première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 225) pour déposer un film semi-conducteur (212, 232, 252) sur un substrat (114, 210, 230, 250) ; le chauffage du substrat (114, 210, 230, 250) et du film semi-conducteur à une température souhaitée (112) ; au cours d'une deuxième étape (240) suivant la première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure de cuivre (cuclx) en phase vapeur (143, 243) et de vapeur de se (121, 245) au film de semi-conducteur (212, 232, 252) ; et au cours d'une troisième étape (260) suivant la deuxième étape (240), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 265) au film de semi-conducteur (212, 232, 252). 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