Systèmes et procédés de formation de cellules solaires avec des films cuinse2 et cu(in,ga)se

Des systèmes et des procédés permettant de former des cellules solaires à base de films cuinse2 et cu(in,ga)se2 sont décrits par la présente invention. Dans un mode de réalisation, un procédé comprend les étapes suivantes : au cours d'une première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 225) pour déposer un film semi-conducteur (212, 232, 252) sur un substrat (114, 210, 230, 250) ; le chauffage du substrat (114, 210, 230, 250) et du film semi-conducteur à une température souhaitée (112) ; au cours d'une deuxième étape (240) suivant la première étape (220), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure de cuivre (cuclx) en phase vapeur (143, 243) et de vapeur de se (121, 245) au film de semi-conducteur (212, 232, 252) ; et au cours d'une troisième étape (260) suivant la deuxième étape (240), la réalisation d'un transport de masse par l'intermédiaire d'un transport de vapeur de chlorure d'indium (inclx) en phase vapeur (143, 223) et de vapeur de se (121, 265) au film de semi-conducteur (212, 232, 252). Systems and methods for forming solar cells with CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 films are provided. In one embodiment, a method comprises: during a first stage (220), performing a mass transport through vapor transport of an indium chloride (InClx) vapor (143, 223) and Se vapor (121, 225) to deposit a semiconductor film (212, 232, 252) upon a substrate (114, 210, 230, 250); heating the substrate (114, 210, 230, 250) and the semiconductor film to a desired temperature (112); during a second stage (240) following the first stage (220), performing a mass transport through vapor transport of a copper chloride (CuClx) vapor (143, 243) and Se vapor (121, 245) to the semiconductor film (212, 232, 252); and during a third stage (260) following the second stage (240), performing a mass transport through vapor transport of an indium chloride (InClx) vapor (143, 263) and Se vapor (121, 265) to the semiconductor film (212, 232, 252).