SEMICONDUCTOR TETRODE

The proposal is in the field of semiconductor electronics, namely- active semiconductor elements with four outputs, which can be used in electronic automation systems, storage devices for digital information storage and processing, registers, counters, parametric amplifiers, frequency converters and multipliers, and similar devices. Compared with analogue, in proposed tetrode npn or pnp structures an active area of the base does not have bridging of its passive areas, and geometric and material parameters of active area are chosen so that the tetrode has no restricting bipolar transistor effect. This is achieved in tetrode structure by isolating the active base region, and by the implementation of the necessary conditions for it proper functioning: L B < WB < d p-n (max) and ? E g B ? ? E g ( E, K ) . Pasiūlymas yra iš puslaidininkinės elektronikos srities, o būtent - aktyvieji puslaidininkiniai elementai, turintys keturis išvadus, ir gali būti vartojami elektroninėse automatikos sistemose, atminties įtaisuose skaitmeninės informacijos saugojimui bei apdorojimui, registruose, skaitikliuose, parametriniuose stiprintuvuose, dažnio kitimo ir dauginimo įrenginiuose, ir t. t.Palyginus su analogu, pasiūlytuose tetrodų n-p-n arba p-n-p konstrukcijų variantuose bazės aktyvioji sritis neturi ją šuntuojančių pasyviųjų sričių ir aktyviosios srities geometriniai bei medžiagos parametrai yra parinkti taip, jog tetroduose nėra jų veiką ribojančio dvipolio tranzistorinio efekto. Tai yra pasiekiama tetrodo konstrukcijoje izoliuojant bazės aktyviąją sritį, bei įgyvendinant jo gerai veikai būtinas sąlygas: L B < WB < d p-n (max) bei ? E g B ? ? E g ( E, K ) .