SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
growing thermal oxide film (21) on the top of the N-type epitaxial layer and forming the pattern of intrinsic base region (22) and extrinsic base region (23), respectively, by photograph and injecting P-type impurity into them ; Spreading said substrate with an oxide layer and etching only (4) and t...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng |
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