반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

실드의 배치에 있어서 요구되는 얼라인먼트의 정밀도를 억제한다. 반도체 장치는 제1 기판과, 제2 기판을 구비한다. 상기 제1 기판은, 서로 절연된 복수의 제1 배선과, 각각의 상기 제1 배선과 접속되는, 서로 절연된 복수의 제1 전극과, 적어도 상기 복수의 제1 전극 사이에 있어서 배치되고, 상기 제1 전극과 절연된 제1 실드 전극을 갖는다. 상기 제2 기판은, 서로 절연된 복수의 제2 배선과, 각각의 상기 제2 배선과 접속되는, 서로 절연된 복수의 제2 전극과, 적어도 상기 복수의 제2 전극 사이에 있어서 배치되고, 상기 제2 전극과 절연된 제2 실드 전극을 갖는다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 하이브리드 접합에 의해 전기적으로 접속한다. 상기 제1 실드 전극과 상기 제2 실드 전극은 하이브리드 접합에 의해 전기적으로 접속하여 제1 실드를 형성한다. [Problem] To suppress the alignment precision required in the arrangement of a shield. [Solution] A semiconductor device comprising a first substrate and a second substrate. The first substrate comprises: a plurality of first wirings insulated from each other; a plurality of first electrodes insulated from each other and respectively connected to the first wirings; and a first shield electrode arranged between at least the plurality of first electrodes and insulated from the first electrodes. The second substrate comprises: a plurality of second wirings insulated from each other; a plurality of second electrodes insulated from each other and respectively connected to the second wirings; and a second shield electrode arranged between at least the plurality of second electrodes and insulated from the second electrodes. The first electrodes and the second electrodes are electrically connected by a hybrid junction. The first shield electrode and the second shield electrode are electrically connected by a hybrid junction and form a first shield.