METHOD OF FORMING PATTERNS

기판 상에 금속 함유 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 기판의 에지를 따라 에지 비드 제거용 조성물을 도포하는 단계; 건조 및 가열하는 열처리 단계; 그리고 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 에지 비드 제거용 조성물을 도포한 후, 기판 가장자리로부터 기판의 중앙 방향으로 1mm 내지 30 mm의 영역에서 상기 레지스트 층의 최대 험프(Hump) 높이가 300 nm 이하인, 패턴 형성 방법을 제공한다. Provided is a method of forming patterns which includes coating a metal- containing resist composition on a substrate to form a resist layer; coating a composition for removing edge beads along edges of the substrate; performing drying and heat-treatment; and exposing and developing to form a resist pattern, wherein after the composition for removing edge beads is coated, a maximum hump height of the resist layer is less than or equal to about 300 nm in an area of about 1 mm to about 30 mm from the edges of the substrate toward a center of the substrate.