SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

반도체 장치는, 워드라인들; 선택 라인; 상기 워드라인들을 통해 상기 선택 라인 내로 연장된 채널막; 상기 채널막과 상기 선택 라인의 사이에서 상기 채널막의 측벽을 감싸는 플로팅 게이트; 및 상기 채널막과 상기 워드라인들의 사이에서 상기 채널막의 측벽을 감싸는 제1 부분 및 상기 채널막과 상기 선택 라인의 사이에서 상기 플로팅 게이트를 감싸는 제2 부분을 포함하는 전하 트랩막을 포함할 수 있다. A semiconductor device may include: a plurality of word lines; a select line; a channel layer extending into the select line through the word lines; a floating gate surrounding sidewalls of the channel layer between the channel layer and the select line; and a charge trap layer including a first and a second portion, wherein the first portion surrounds the sidewalls of the channel layer between the channel layer and the word lines and the second portion surrounds the floating gate between the channel layer and the select line.