집적회로 기판을 제조하는 데 사용 가능한 다결정 실리콘 카바이드를 제조하는 방법, 및 이를 통해 제조되는 실리콘 카바이드

본 발명은, 흑연 표면 상에 화학 기상 증착에 의해 도핑된 다결정 SiC로 만들어진 판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 가스 혼합물은 가열된 인클로저에 도입되어, - 실리콘 및/또는 탄소의 적어도 하나의 가스 전구체; - 적어도 하나의 질소 원자를 포함하는 적어도 하나의 도펀트 가스, 및 - 캐리어 가스를 포함하는 기상을 생성하며, 상기 가스 혼합물은 흑연 표면에서 분해되어 다결정 SiC의 층을 형성하며, 상기 방법은, 반응기 내의 온도가 1450K 내지 1650K 사이이고, 상기 가스 전구체의 총 분압이 350mbar 미만인 것을 특징으로 한다. 상기 판은 (i) 텍스처 계수 C422가 30% 미만이고, (ii.a) 텍스처 계수 C220이 60% 초과, 또는 (ii.b) 텍스처 계수 C111+C222+C511의 합이 70% 초과인 것을 특징으로 한다. The invention relates to a method for manufacturing a plate made of polycrystalline SiC, doped by chemical vapour deposition on a graphite surface, wherein a gas mixture is introduced into a heated chamber so as to create a gas phase comprising: - at least one gaseous precursor of silicon and/or carbon; - at least one dopant gas comprising at least one nitrogen atom; and - a carrier gas, the gas mixture decomposing on the graphite surface to form a layer of polycrystalline SiC, and the method being characterised in that the temperature in the reactor is between 1450 K and 1650 K and the total partial pressure of the gaseous precursors is less than 350 mbar. The plate is characterised in that: (i) the texture coefficient C422 thereof is less than 30%, and (ii.a) the texture coefficient C220 thereof is greater than 60%, or (ii.b) the sum of the texture coefficients C111+C222+C511 is greater than 70%.