레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물, 및, 산 발생제

기재 성분 (A) 와, 일반식 (b0) 으로 나타내는 화합물 (B0) 을 포함하는, 레지스트 조성물. TIFFpct00154.tif30128 식 중, Rpg 는, 산 분해성기이다. Rl0 은, 치환기를 가져도 되는 고리형의 유기기이다. L02 는, 2 가의 연결기이다. L01 은, 2 가의 연결기 또는 단결합이다. Rm1 은, 요오드 원자 이외의 치환기이다. Vb0 은, 단결합 등이다. R0 은, 수소 원자 등이다. nb1 은 1 ∼ 4 의 정수이고, nb2 는 1 ∼ 4 의 정수이고, nb3 은, 0 ∼ 3 의 정수이다. Mm+...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	NGUYEN KHANHTIN
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HETEROCYCLIC COMPOUNDS HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORGANIC CHEMISTRY ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	기재 성분 (A) 와, 일반식 (b0) 으로 나타내는 화합물 (B0) 을 포함하는, 레지스트 조성물. TIFFpct00154.tif30128 식 중, Rpg 는, 산 분해성기이다. Rl0 은, 치환기를 가져도 되는 고리형의 유기기이다. L02 는, 2 가의 연결기이다. L01 은, 2 가의 연결기 또는 단결합이다. Rm1 은, 요오드 원자 이외의 치환기이다. Vb0 은, 단결합 등이다. R0 은, 수소 원자 등이다. nb1 은 1 ∼ 4 의 정수이고, nb2 는 1 ∼ 4 의 정수이고, nb3 은, 0 ∼ 3 의 정수이다. Mm+ 는, m 가의 유기 카티온을 나타낸다. m 은 1 이상의 정수이다. The present invention provides a resist composition which contains a base material component (A) and a compound (B0) that is represented by general formula (b0). In the formula, Rpg represents an acid-decomposable group; Rl0 represents an optionally substituted cyclic organic group; L02 represents a divalent linking group; L01 represents a divalent linking group or a single bond; Rm1 represents a substituent other than an iodine atom; Vb0 represents a single bond or the like; R0 represents a hydrogen atom or the like; nb1 represents an integer of 1 to 4, nb2 represents an integer of 1 to 4, and nb3 represents an integer of 0 to 3; Mm+ represents an organic cation having a valency of m; and m represents an integer of 1 or more.