SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명의 실시예는 전기적 특성이 향상된 반도체 장치를 제공한다. 본 실시예에 따른 반도체 장치는 기판 내에 형성된 트렌치; 상기 트렌치의 저면 및 측벽을 커버링하는 게이트절연층; 상기 게이트절연층 상에 상기 트렌치의 저부을 갭필하는 제1게이트전극; 제1게이트전극 상에 형성된 제2게이트전극; 및 상기 제1게이트전극과 제2게이트전극 사이의 계면에 국부적으로 위치하는 산화방지층을 포함할 수 있다. A semiconductor device includes a trench formed in a substrate; a gate dielectric layer suitable for covering a bottom surface and sidewalls of the trench; a first gate electrode suitable for gap-filling a bottom portion of the trench over the gate dielectric layer; a second gate electrode formed over the first gate electrode; and an anti-oxidation layer disposed at an interface between the first gate electrode and the second gate electrode.