APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE

기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버, 공정 챔버의 내부에 배치되고, 기판을 지지하는 서셉터, 공정 챔버 상에 배치되는 가스 발생부, 공정 챔버의 상부에 배치되며, 가스 발생부에서 공급되는 공정 가스가 공정 챔버의 내부로 확산되도록 상하로 관통된 공급부가 형성된 백킹 플레이트 및 가스 발생부와 서셉터 사이에 배치되며, 공급부를 통해 공급되는 공정 가스를 공정 챔버의 내부로 확산시키고, 백킹 플레이트에 고정되는 고정부, 공급부의 적어도 일부를 채우고 가스 발생부를 향해 돌출되는 원뿔 형상을 가지는 확산부 및 고정부와 확산부를 연결하고 상기 원뿔의 꼭짓점에 부착된 지지부들을 포함하는 확산 블록을 포함한다. The substrate processing apparatus includes: a process chamber in which a space is formed; a susceptor disposed inside the process chamber and supporting the substrate; a gas generation unit disposed on the process chamber; a back plate disposed above the process chamber and having a vertically through supply portion formed therein so as to diffuse the process gas supplied from the gas generation portion into the process chamber; and a diffusion block disposed between the gas generation unit and the susceptor and diffusing the process gas supplied by the supply unit into the process gas, the diffusion block including: a fixing unit fixed to the back plate; a diffusion part filling at least a part of the supply part and having a conical shape protruding toward the gas generation part; and a supporting part which connects the fixing part and the diffusion part and is attached to the apex of the cone.