Non-volatile memory device with twisted block select lines
본 개시의 기술적 사상에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 제1 레이어(layer)에서 제1 방향으로 각각 연장되고 제1 블록 선택 라인 및 제2 블록 선택 라인을 포함하는 복수의 블록 선택 라인들을 포함하는 블록 선택 라인 그룹 및 제2 레이어에서 제2 방향으로 연장되는 제1 메탈 라인을 포함한다. 상기 복수의 블록 선택 라인들 중에서 적어도 하나의 블록 선택 라인은, 상기 적어도 하나의 블록 선택 라인의 패스(path)를 상기 제1 메탈 라인의 구멍(hole)에서 변경시키는 적어도 하나의 트위스트 패턴을 포함한다. 상기 제1 블록...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | 본 개시의 기술적 사상에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 제1 레이어(layer)에서 제1 방향으로 각각 연장되고 제1 블록 선택 라인 및 제2 블록 선택 라인을 포함하는 복수의 블록 선택 라인들을 포함하는 블록 선택 라인 그룹 및 제2 레이어에서 제2 방향으로 연장되는 제1 메탈 라인을 포함한다. 상기 복수의 블록 선택 라인들 중에서 적어도 하나의 블록 선택 라인은, 상기 적어도 하나의 블록 선택 라인의 패스(path)를 상기 제1 메탈 라인의 구멍(hole)에서 변경시키는 적어도 하나의 트위스트 패턴을 포함한다. 상기 제1 블록 선택 라인이 연장되는 제1 패스 및 상기 제2 블록 선택 라인이 연장되는 제2 패스는 서로 인접한다. |
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