SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

오목부의 측벽면에 부착된 제1 금속을, 당해 제1 금속과 반응하는 제2 할로겐화 금속 가스에 의해 제거하는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다. 기판을 처리하는 방법에서는, 절연체층에 오목부가 형성된 실리콘의 기판에 대해 제1 할로겐화 금속 가스를 공급하여, 상기 오목부 내에 제1 금속의 금속층을 형성한다. 이어서, 상기 금속층에 상기 실리콘이 확산되어 금속 실리사이드층이 형성된 상기 기판에 대해, 상기 제1 금속과 반응하는 제2 할로겐화 금속 가스를 공급하여, 상기 오목부의 측벽면에 부착된 상기 제1 금속을 제거한다. A substrate processing method includes: by supplying a first metal halide gas including a first metal to a substrate in which an insulator layer is deposited on a silicon layer and a recess portion is formed in the insulator layer, forming a metal layer of the first metal included in the first metal halide gas on a surface of the silicon layer exposed in the recess portion; and subsequently, by supplying a second metal halide gas, which includes a second metal different from the first metal and reacts with the first metal, to the substrate in which the silicon of the silicon layer is diffused to the metal layer to form a metal silicide layer, removing the first metal adhering to a side wall surface of the recess portion.