A PART FOR ETCH PROCESS OF SEMICONDUCTOR AND A METHOD THEREOF

본 발명은 반도체 식각 공정용 부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 반도체 식각 공정에서 사용되는 부품의 표면에 금속불화물을 포함하는 코팅층을 포함함으로써 내플라즈마성을 향상시킬 수 있는 반도체 식각 공정용 부품 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a component for a semiconductor etching process, and a manufacturing method therefor, and, more specifically, to a compone...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM DAE GEAN, LEE KYUNG MIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 반도체 식각 공정용 부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 반도체 식각 공정에서 사용되는 부품의 표면에 금속불화물을 포함하는 코팅층을 포함함으로써 내플라즈마성을 향상시킬 수 있는 반도체 식각 공정용 부품 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a component for a semiconductor etching process, and a manufacturing method therefor, and, more specifically, to a component for a semiconductor etching process, and a manufacturing method therefor, the component comprising a coating layer, which includes metal fluoride on the surface of the component used in the semiconductor etching process, so as to improve plasma resistance.