SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 장치는 제1 방향으로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판, 상기 기판의 제1 면 상에, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 활성 패턴, 상기 기판의 제1 면 상에, 상기 활성 패턴의 측벽을 덮는 필드 절연막, 상기 기판의 제2 면 상에 배치되고, 상기 제2 방향으로 연장하는 파워 레일, 상기 활성 패턴의 일측에, 상기 필드 절연막을 관통하는 비아 트렌치, 및 상기 비아 트렌치를 채우고, 상기 파워 레일과 접속되는 파워 레일 비아를 포함하고, 상기 파워 레일 비아는 단일막으로 형성되는 제1 서브막과, 상기 제1 서브막 상에, 상기 비아 트렌치의 내측벽을 따라 연장되는 배리어막, 및 상기 배리어막 사이의 필링막을 포함하는 제2 서브막을 포함한다. A semiconductor device comprises a substrate including a first surface and a second surface opposite to each other in a first direction, an active pattern on the first surface of the substrate and extending in a second direction, a field insulating film on the first surface of the substrate and covering sidewalls of the active pattern, a power rail on the second surface of the substrate and extending in the second direction, a via trench on one side of the active pattern and penetrating through the field insulating film, and a power rail via filling the via trench and connected to the power rail, in which the power rail via includes a first sub-film formed as a single film, and a second sub-film on the first sub-film and including barrier films extending along inner sidewalls of the via trench and a filling film between the barrier films.