METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR LINER

반도체 소자 형성방법은 기판 상에 예비 활성 영역을 한정하는 트렌치를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 예비 활성 영역 상에 520℃ 내지 580℃에서 수행되는 제1 열처리 공정을 이용하여 버퍼 층이 형성될 수 있다. 상기 버퍼 층을 치환하여 희생 층이 형성될 수 있다. 상기 희생 층을 제거하여 활성 영역이 노출될 수 있다. 상기 활성 영역 상에 반도체 라이너가 형성될 수 있다. A method for forming a semiconductor device may include forming, on a substrate, a trench which delimits a preliminary active region. A buffer layer may be formed on the preliminary active region using a first heat treatment process that is performed at 520° C. to 580° C. A sacrificial layer may be formed by replacing the buffer layer. An active region may be exposed by removing the sacrificial layer. A semiconductor liner may be formed on the active region.