레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물, 및 고분자 화합물

노광에 의해 산을 발생시키고, 또한 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A1) 을 함유하고, 상기 수지 성분 (A1) 은, 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는, 레지스트 조성물. TIFFpct00121.tif5060 R 은, 수소 원자, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Ya0 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Va0 은, 단결합,...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MIYAKAWA JUNICHI, ADACHI YOHEI, FUJINAMI TETSUO, ISHII SHUICHI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COMPOSITIONS BASED THEREON ELECTROGRAPHY HETEROCYCLIC COMPOUNDS HOLOGRAPHY MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORGANIC CHEMISTRY ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP
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Beschreibung
Zusammenfassung:	노광에 의해 산을 발생시키고, 또한 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A1) 을 함유하고, 상기 수지 성분 (A1) 은, 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는, 레지스트 조성물. TIFFpct00121.tif5060 R 은, 수소 원자, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Ya0 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Va0 은, 단결합, 또는 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬렌기이다. Mm＋ 는 m 가의 카티온이다. This resist composition, which generates an acid by being exposed to light and of which the solubility in a developer changes due to the action of the acid, contains a resin component (A1) of which the solubility in a developer changes due to the action of the acid, the resin component (A1) having a constituent unit (a0) represented by general formula (a0-1). R is a hydrogen atom, a C1-5 alkyl group, a halogen atom, or a C1-5 halogenated alkyl group. Ya0 is a single bond or a divalent linking group. Va0 is a single bond or a straight-chain or branched-chain alkylene group. Mm+ is an m-valent cation.