패터닝 방법 및 패터닝 장치

패터닝 방법은, 침윤 공정과, 에칭 공정을 포함한다. 침윤 공정은, 노광에 의해 노광 부분과 미노광 부분이 형성된 포토레지스트막이 표면에 마련된 기판의 포토레지스트막에 노광 부분과 미노광 부분의 선택비를 확대하는 재료를 침윤시킨다. 에칭 공정은, 침윤 공정을 행한 포토레지스트막을 드라이 에칭한다. This patterning method includes a soaking step and an etching step. The soaking step involves soaking a material for increasing a sel...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TSUZUKI REIKO, YAMAJI TOMOHITO, YAMADA KAZUKI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	패터닝 방법은, 침윤 공정과, 에칭 공정을 포함한다. 침윤 공정은, 노광에 의해 노광 부분과 미노광 부분이 형성된 포토레지스트막이 표면에 마련된 기판의 포토레지스트막에 노광 부분과 미노광 부분의 선택비를 확대하는 재료를 침윤시킨다. 에칭 공정은, 침윤 공정을 행한 포토레지스트막을 드라이 에칭한다. This patterning method includes a soaking step and an etching step. The soaking step involves soaking a material for increasing a selection ratio of an exposure portion and a non-exposure portion on a photoresist film of a substrate having, on a surface thereof, the photoresist film in which the exposure portion and the non-exposure portion are formed via exposure. The etching step involves dry-etching the photoresist film that has been subjected to the soaking step.