기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치

(a) 소정 원소 및 할로겐 원소를 함유하는 원료 가스를 기판에 대하여 공급하는 것에 의해 제1층을 형성하는 공정; (b) 한 종류의 원소로 구성되는 단체 가스를 플라즈마 여기시키는 것에 의해 활성종X를 발생시키고, 활성종X를 포함하는 단체 가스를 기판에 대하여 공급하는 공정; 및 (c) 질소를 함유하는 반응 가스를 플라즈마 여기시키는 것에 의해 활성종Y를 발생시키고, 활성종Y를 포함하는 반응 가스를 기판에 대하여 공급하는 것에 의해 제2층을 형성하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 소정 원소 및 질소를 함유하는 막을 형성하는 공정을 포함하고, (b)는 복수 종류의 원소로 구성되는 화합물 가스를 플라즈마 여기시키는 것에 의해 활성종Z를 발생시키고, 활성종Z를 포함하는 화합 알맹이 가스를 기판에 대하여 공급하는 공정을 더 포함하고, (b)에서는 단체 가스의 공급량에 대한 화합물 가스의 공급량의 비율을 1/2 미만으로 한다. A substrate processing method comprising a step for forming a film containing a predetermined element and nitrogen on a substrate by performing, a predetermined number of times, a cycle comprising: (a) a step for forming a first layer by supplying a raw material gas that contains the predetermined element and a halogen element to the substrate; (b) a step for generating an activated species X by plasma-exciting an elemental gas composed of a single element, and supplying the elemental gas including the activated species X to the substrate; and (c) a step for generating an activated species Y by plasma-exciting a reaction gas containing nitrogen, and forming a second layer by supplying the reaction gas including the activated species Y to the substrate. The step (b) further comprises a step for generating an activated species Z by plasma-exciting a compound gas composed of a plurality of elements, and supplying the compound gas including the activated species Z to the substrate, wherein in (b), the ratio of the amount of the compound gas supplied to the amount of the elemental gas supplied is less than 1/2.