정적 척의 세라믹 플레이트 및 금속 베이스플레이트를 본딩하기 위한 캡슐화된 압축 와셔

기판 프로세싱 시스템을 위한 정전 척은 베이스플레이트, 세라믹 플레이트, 및 본드 층을 포함한다. 베이스플레이트는 금속성 재료, 플리넘을 정의하는 베이스플레이트의 측벽 및 상부 및 하부 표면을 포함한다. 베이스플레이트는 플리넘과 유체 연통하는 입구 및 상부 표면으로부터 플리넘으로 연장되는 제1 복수의 관통 홀을 더 포함한다. 세라믹 플레이트는 세라믹 플레이트의 상부 표면과 하부 표면 사이에 연장되는 제2 복수의 관통 홀을 포함한다. 본드 층은 베이스플레이트와 세라믹 플레이트를 본딩한다. 본드 층은 복수의 와셔를 포함한다. 각각의 와셔는 제3 재료를 포함하는 코어 및 코어를 둘러싸는 제4 재료의 코팅을 포함한다. 와셔 및 본드 층은 동일한 높이이다. 와셔의 내부 직경은 제1 및 제2 복수의 관통 홀의 직경과 정렬된다. An electrostatic chuck for a substrate processing system includes a baseplate, a ceramic plate, and a bond layer. The baseplate includes a metallic material, a sidewall and upper and lower surfaces of the baseplate defining a plenum. The baseplate further includes an inlet in fluid communication with the plenum and a first plurality of through holes extending from the upper surface to the plenum. The ceramic plate includes a second plurality of through holes extending between upper and lower surfaces of the ceramic plate. The bond layer bonds the baseplate and the ceramic plate. The bond layer includes a plurality washers. Each washer includes a core comprising a third material and a coating of a fourth material surrounding the core. The washers and the bond layer are of the same height. Inner diameters of the washers are aligned with diameters of the first and second plurality of through holes.