SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME
본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판; 상기 기판의 상기 제1 영역 상에서 제1 방향으로 연장되는 활성 영역; 상기 기판의 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 상에 배치되며, 상기 제1 영역에서 상기 활성 영역을 정의하는 소자 분리층; 상기 활성 영역 상에 배치되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 게이트 구조물; 상기 게이트 구조물 양측에서 상기 활성 영역 상에 배치되는 소스/드레인 영역; 상기 소자 분리층 상에 배치되며, 상기 제1 영역에서 상기 게이트 구조물 및 상기 소...
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Hauptverfasser: | , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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