WIRING BOARD

배선 기판이 개시된다. 이 배선 기판은, 제1 원소를 포함하는 기판, 기판에 접하고 제1 금속 원소를 포함하는 확산층, 및 확산층에 접하고 제2 금속 원소를 포함하는 제1 금속막을 갖는다. 확산층은, 적어도 제1 원소와 제1 금속 원소를 포함하는 영역과, 제1 금속 원소와 제2 금속 원소를 포함하는 영역을 갖는다. 확산층에 있어서의 제2 금속 원소의 농도는, 두께 방향에 있어서 기판에 접근함에 따라 감소해도 된다. 확산층에 있어서의 제1 원소의 농도는, 두께 방향에 있어서 제1 금속막에 접근함에 따라 감소해도 된다. A wiring...

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Hauptverfasser: CHIGIRA ATSUKO, MAWATARI HIROSHI, SASAO TOSHIO, FURUSHOU HIROKI
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:배선 기판이 개시된다. 이 배선 기판은, 제1 원소를 포함하는 기판, 기판에 접하고 제1 금속 원소를 포함하는 확산층, 및 확산층에 접하고 제2 금속 원소를 포함하는 제1 금속막을 갖는다. 확산층은, 적어도 제1 원소와 제1 금속 원소를 포함하는 영역과, 제1 금속 원소와 제2 금속 원소를 포함하는 영역을 갖는다. 확산층에 있어서의 제2 금속 원소의 농도는, 두께 방향에 있어서 기판에 접근함에 따라 감소해도 된다. 확산층에 있어서의 제1 원소의 농도는, 두께 방향에 있어서 제1 금속막에 접근함에 따라 감소해도 된다. A wiring board is disclosed. The wiring board includes a substrate including a first element, a diffusion layer in contact with the substrate and including a first metal element, and a first metal film in contact with the diffusion layer and including a second metal element. The diffusion layer has at least a region including the first element and the first metal element and a region including the first metal element and the second metal element. A concentration of the second metal element in the diffusion layer may decrease as it approaches the substrate in a depth direction. A concentration of the first element in the diffusion layer may decrease as it approaches the first metal film in the depth direction.