선택적 금속 증착을 위한 선택적 억제

기판을 가공하는 방법은 기판을 소분자 억제제(SMI)로 처리하는 단계를 포함하고, 기판은 유전층에 형성된 오목부 및 오목부 내의 제1 금속층을 포함하고, SMI는 제1 금속층의 표면을 덮는다. 방법은 기판을 SMI로 처리한 후, 기판을 대분자 억제제(LMI)로 처리하는 단계를 더 포함하고, LMI는 오목부 내의 유전층의 측벽을 덮는다. 방법은, 기판을 가열하여 SMI를 제1 금속층으로부터 제거하고 오목부 내의 제1 금속층을 노출하는 단계를 더 포함하고, LMI는 SMI를 제1 금속층으로부터 제거한 후에 측벽 상에 남아 있다. 방법은 제2 금속을 오목부 내의 제1 금속층 위에 증착하는 단계를 더 포함하고, 측벽을 덮고 있는 LMI는 유전층 상의 제2 금속의 증착을 방지한다. A method for processing a substrate includes treating the substrate with a small molecular inhibitor (SMI), the substrate including a recess formed in a dielectric layer and a first metal layer in the recess, the SMI covering a surface of the first metal layer. The method further includes, after treating the substrate with the SMI, treating the substrate with a large molecular inhibitor (LMI), the LMI covering sidewalls of the dielectric layer in the recess. The method further includes heating the substrate to remove the SMI from the first metal layer and to expose the first metal layer in the recess, where the LMI remains on the sidewalls after removing the SMI from the first metal layer. The method further includes depositing a second metal over the first metal layer in the recess, where the LMI covering the sidewalls prevents deposition of the second metal on the dielectric layer.