REFERENCE MARKERS ADJACENT TO A CAVITY IN A PHOTONICS CHIP

에지 커플러에 인접한 공동을 포함하는 구조물들 및 그러한 구조물들을 형성하는 방법들이 개시된다. 구조물은 측벽을 갖는 공동을 포함하는 반도체 기판, 반도체 기판 상의 유전체 층, 및 유전체 층 상의 에지 커플러를 포함한다. 구조물은 에지 커플러에 인접한 복수의 충전 특징부들을 포함하는 충전 영역을 더 포함한다. 충전 영역은 복수의 충전 특징부들에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 참조 마커를 포함하고, 참조 마커는 유전체 층의 표면 영역을 둘러싸는 둘레를 갖고, 표면 영역은 공동의 측벽의 일부와 중첩한다. Structures including a cavity adjacent to an edge coupler and methods of forming such structures. The structure comprises a semiconductor substrate including a cavity with a sidewall, a dielectric layer on the semiconductor substrate, and an edge coupler on the dielectric layer. The structure further comprises a fill region including a plurality of fill features adjacent to the edge coupler. The fill region includes a reference marker at least partially surrounded by the plurality of fill features, and the reference marker has a perimeter that surrounds a surface area of the dielectric layer, and the surface area overlaps with a portion of the sidewall of the cavity.