수지 조성물, 경화물, 적층체, 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스
폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물로부터 얻어진 경화물이 하기 조건 (i)~(iv)의 모두를 충족시키는 수지 조성물, 경화물, 적층체, 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스; 조건 (i): 상기 경화물의 영률이 3.5GPa 이상, 조건 (ii): 상기 경화물의 25℃부터 125℃까지의 온도 범위에 있어서의 열팽창 계수가 50ppm/℃ 미만, 조건 (iii): 상기 경화물의 Tg가 240℃ 이상, 조건 (iv): 상기 경화물의 파단...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물로부터 얻어진 경화물이 하기 조건 (i)~(iv)의 모두를 충족시키는 수지 조성물, 경화물, 적층체, 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스; 조건 (i): 상기 경화물의 영률이 3.5GPa 이상, 조건 (ii): 상기 경화물의 25℃부터 125℃까지의 온도 범위에 있어서의 열팽창 계수가 50ppm/℃ 미만, 조건 (iii): 상기 경화물의 Tg가 240℃ 이상, 조건 (iv): 상기 경화물의 파단 신도가 40% 이상.
Provided are: a resin composition including a polyimide or a polyimide precursor, wherein a cured product obtained from the resin composition satisfies all of the following conditions (i) to (iv); a cured product; a laminate; a method for producing cured product; a method for producing a laminate; a method for producing a semiconductor device; and a semiconductor device; condition (i): Young's modulus of the cured product is 3.5 GPa or more, condition (ii): the coefficient of thermal expansion of the cured product in the temperature range from 25°C up to 125°C is less than 50 ppm/°C, condition (iii): the Tg of the cured product is 240°C or higher, and condition (iv): the elongation at break of the cured product is 40% or higher. |
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