에칭액, 그 에칭액을 사용한 기판의 처리 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법

반도체 디바이스의 제조시에, 유전 특성 등이 우수한 탄질화규소가 사용되는 경우가 있다. 제조시에는, 산화규소를 에칭하지 않고 탄질화규소를 에칭할 필요가 있는 경우가 많지만, 동일한 목적으로 사용되는 질화규소에 비해, 탄소를 포함하는 탄질화규소를 충분히 선택적으로 에칭하는 에칭액은 알려지지 않았다. 본 발명은, 산화규소에 대한 탄질화규소의 에칭 선택비가 높은 에칭액, 그 에칭액을 접촉시키는 공정을 포함하는 기판의 처리 방법, 및 그 기판의 처리 방법을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 인산, 물 및...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	OSHIO MANAMI, NOMURA NAOTO
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES SEMICONDUCTOR DEVICES
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