에칭액, 그 에칭액을 사용한 기판의 처리 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법

반도체 디바이스의 제조시에, 유전 특성 등이 우수한 탄질화규소가 사용되는 경우가 있다. 제조시에는, 산화규소를 에칭하지 않고 탄질화규소를 에칭할 필요가 있는 경우가 많지만, 동일한 목적으로 사용되는 질화규소에 비해, 탄소를 포함하는 탄질화규소를 충분히 선택적으로 에칭하는 에칭액은 알려지지 않았다. 본 발명은, 산화규소에 대한 탄질화규소의 에칭 선택비가 높은 에칭액, 그 에칭액을 접촉시키는 공정을 포함하는 기판의 처리 방법, 및 그 기판의 처리 방법을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 인산, 물 및 세륨 이온을 포함하는 균일 용액으로 이루어지는, 탄질화규소를 에칭하기 위한 에칭액에 의해 과제를 해결한다. Silicon carbonitride with excellent dielectric and/or other properties may be used in manufacturing semiconductor devices. The manufacturing often requires etching silicon carbonitride without etching silicon oxide, but there is no known etching solution that sufficiently selectively etches silicon carbonitride containing carbon compared with silicon nitride used for the same purpose. An object of the present invention is to provide: an etching solution with a high etching selectivity ratio of silicon carbonitride to silicon oxide; a method of treating a substrate, the method including a step of bringing the etching solution into contact with the substrate; and a method of manufacturing a semiconductor device, the method including the method of treating a substrate. The object is achieved by an etching solution for etching silicon carbonitride, the etching solution composed of a homogeneous solution containing phosphoric acid, water, and a cerium ion.