SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

반도체 구조체는 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 포함하는 기판, 그리고 서로 인접하는 단위 영역 및 단자 영역을 포함한다. 기판 내의 전극 구조체는 단위 영역에서, 제1 표면으로부터 제2 표면을 향해 연장된다. 기판 내의 트렌치 구조체는 단위 영역에서 제1 표면으로부터 제2 표면을 향해 연장되고, 단자 영역에 접한다. 트렌치 구조체는 제1 표면으로 연장되는 반도체 재료 층을 포함한다. 단자 영역 내의 기판의 제1 표면 상의 용량성 구조체는 트렌치 구조체와 접한다. 용량성 구조체는 반도체 재료 층과 동일한 재료를 갖고, 반도체 재료 층에 연결되는 용량성 전극을 갖는다. 반도체 구조체를 제조하기 위한 방법이 또한 제공된다. A semiconductor structure includes a substrate including a first surface (12A) and a second surface (12B) opposite to each other, and a unit region (R1) and a terminal region (R2) adjacent to each other. An electrode structure (50) in the substrate extends from the first surface toward the second surface in the unit region. A trench structure (60) in the substrate extends from the first surface toward the second surface in the unit region and adjoins the terminal region. The trench structure includes a semiconductor material layer (162) extending to the first surface. A capacitive structure on the first surface of the substrate in the terminal region adjoins the trench structure. The capacitive structure has a material the same as the semiconductor material layer, and has a capacitive electrode (163) connected to the semiconductor material layer. A method for manufacturing the semiconductor structure is also provided.