SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
본 발명은, 금속 함유 레지스트막의 형성, 노광 및 현상 등의 처리에 의해 형성되는 패턴의 선폭을 로트간에 균일화하는 것이다. 기판을 수용하는 반송 용기가 차례로 반송되는 복수의 장치에 의해 구성되어, 상기 기판에 패터닝을 행하는 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 복수의 장치 중 하나를 이루고, 상기 기판에 금속 함유 레지스트막을 형성하는 제1 장치와, 상기 복수의 장치 중 다른 하나를 이루고, 노광된 상기 금속 함유 레지스트막을 현상하는 제2 장치와, 현상될 때까지의 상기 금속 함유 레지스트막이 형성된 상기 기판을 수용 공간에 복...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | 본 발명은, 금속 함유 레지스트막의 형성, 노광 및 현상 등의 처리에 의해 형성되는 패턴의 선폭을 로트간에 균일화하는 것이다. 기판을 수용하는 반송 용기가 차례로 반송되는 복수의 장치에 의해 구성되어, 상기 기판에 패터닝을 행하는 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 복수의 장치 중 하나를 이루고, 상기 기판에 금속 함유 레지스트막을 형성하는 제1 장치와, 상기 복수의 장치 중 다른 하나를 이루고, 노광된 상기 금속 함유 레지스트막을 현상하는 제2 장치와, 현상될 때까지의 상기 금속 함유 레지스트막이 형성된 상기 기판을 수용 공간에 복수 수용하고, 당해 각 기판의 금속 함유 레지스트막의 반응 진행도를 조정하기 위해서, 상기 수용 공간의 분위기를 조정하는 분위기 조정부를 구비한다.
A substrate processing system provided with a plurality of apparatuses to perform a patterning on a plurality of the substrates, wherein a transfer container accommodating the plurality of substrates is transferred to the plurality of apparatuses in a sequential manner. The substrate processing system includes: a first apparatus of the plurality of apparatuses, which is configured to form a metal-containing resist film on each substrate; a second apparatus of the plurality of apparatuses, which is configured to perform a development on the metal-containing resist film after exposure; and an atmosphere regulator having an accommodation space where the substrates, on each of which the metal-containing resist film before being subjected to the development is formed, are accommodated and configured to regulate an atmosphere of the accommodation space so as to regulate a degree of progress of a reaction of the metal-containing resist film on each substrate. |
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