기판 처리 장치

본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 처리 대상의 기판이 내부에 수용되어, 기판 처리가 실시되는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 제1 이온 액체를 공급하는 액체 공급부와, 상기 처리 용기의 내부로부터 상기 제1 이온 액체를 회수하는 액체 회수부와, 상기 액체 회수부와 상기 액체 공급부를 접속하는 접속관과, 상기 접속관에 가스를 공급하여, 상승하는 상기 가스의 가스 리프트 펌프 작용에 의해, 상기 액체 회수부로부터 상기 액체 공급부에 상기 제1 이온 액체를 보내는 가스 공급부를 갖는다. A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure comprises: a processing vessel in which a substrate to be processed is housed and substrate processing is performed; a liquid supply unit that supplies a first ion liquid into the processing vessel; a liquid recovery unit that recovers the first ion liquid from the inside of the processing vessel; a connecting pipe that connects the liquid recovery unit and the liquid supply unit; and a gas supply unit that supplies a gas to the connecting pipe, and sends the first ion liquid from the liquid recovery unit to the liquid supply unit due to the gas-lift pump action of the gas that rises.