GaN 기판

본 발명은 고온 환경 하에서도 저항률이 큰 SI 기판 또는 반절연성이 우수하고, 또한 결정 품질이 우수한 SI 기판을 제공한다. 본 발명의 GaN 기판은, 망간이 도프된 GaN 기판이며, 캐리어 농도를 식 (I): 캐리어 농도(atoms/㎤)=A×EXP(-Ea/kT)로 나타냈을 때, 캐리어의 활성화 에너지 Ea가 0.7eV 이상인 GaN 기판 또는 캐리어 이동도가 온도에 대하여 정의 상관을 갖는 GaN 기판이다. The present invention provides an SI substrate having a high electr...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ICHINOSE JUN, ISO KENJI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 고온 환경 하에서도 저항률이 큰 SI 기판 또는 반절연성이 우수하고, 또한 결정 품질이 우수한 SI 기판을 제공한다. 본 발명의 GaN 기판은, 망간이 도프된 GaN 기판이며, 캐리어 농도를 식 (I): 캐리어 농도(atoms/㎤)=A×EXP(-Ea/kT)로 나타냈을 때, 캐리어의 활성화 에너지 Ea가 0.7eV 이상인 GaN 기판 또는 캐리어 이동도가 온도에 대하여 정의 상관을 갖는 GaN 기판이다. The present invention provides an SI substrate having a high electrical resistivity under high temperatures or an SI substrate having excellent semi-insulation capability and excellent crystal quality. This GaN substrate is: a manganese-doped GaN substrate that has a carrier activation energy Ea of 0.7 eV or greater when the carrier density is shown by formula (I): carrier density (atoms/cm3) = AxEXP (-Ea/kT); or a GaN substrate that has a positive correlation of the carrier mobility versus temperature.