접속 구조체 및 그 제조 방법

제1 전자 부품의 전극과 제2 전자 부품의 전극 사이에 배치된 절연성 접착제 및 도전 입자를 개재하여, 당해 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 접속되어 있는 고밀도 실장에 적합한 접속 구조체는, 도전 입자로서 평균 입자경이 3㎛ 미만이며, 20% 변형 시의 압축 경도(20% K값)가 1500N/㎟ 이상 8000N/㎟ 이하인 것을 사용한다. This connection structure is suitable for high-density mounting and is obtained by connecting a first electr...

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Hauptverfasser: NODA DAIKI, AIZAKI RYOTA
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:제1 전자 부품의 전극과 제2 전자 부품의 전극 사이에 배치된 절연성 접착제 및 도전 입자를 개재하여, 당해 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 접속되어 있는 고밀도 실장에 적합한 접속 구조체는, 도전 입자로서 평균 입자경이 3㎛ 미만이며, 20% 변형 시의 압축 경도(20% K값)가 1500N/㎟ 이상 8000N/㎟ 이하인 것을 사용한다. This connection structure is suitable for high-density mounting and is obtained by connecting a first electronic component and a second electronic component via conductive particles and an insulating adhesive agent disposed between an electrode of the first electronic component and an electrode of the second electronic component. The connection structure uses, as said conductive particles, conductive particles having an average particle diameter of less than 3 μm and a compressive hardness (20% K value) at 20% deformation of 1500-8000 N/mm2.