TSV PACKAGING OF DIES INCLUDING TSVS USING SACRIFICIAL CARRIER

방법은 재배선 구조물 상에 복합 다이를 본딩하는 단계를 포함한다. 복합 다이는 반도체 기판, 반도체 기판을 관통하는 반도체 관통 비아, 디바이스 다이의 표면에 있는 금속 비아, 및 디바이스 다이에 부착된 희생 캐리어를 포함하는 디바이스 다이를 포함한다. 복합 다이는 봉지재 내에 봉지된다. 복합 다이 및 봉지재에 대해 평탄화 프로세스가 수행되고, 희생 캐리어가 제거되어 금속 비아를 드러낸다. 금속 비아에 전기적으로 커플링되도록 도전성 피처가 형성된다. A method includes bonding a composite die on a redistribution structure. The composite die comprises a device die including a semiconductor substrate, a through-semiconductor via penetrating through the semiconductor substrate, a metal via at a surface of the device die, and a sacrificial carrier attached to the device die. The composite die is encapsulated in an encapsulant. A planarization process is performed on the composite die and the encapsulant, and the sacrificial carrier is removed to reveal the metal via. A conductive feature is formed to electrically couple to the metal via.