MRAM MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY MRAM CELL AND METHOD OF OPERATION THEREOF
예시적인 자기 저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 셀은 하나보다 많은 비트를 저장하도록 구성된다. MRAM 셀은 병렬로 연결된 제1 자기 터널링 접합(MTJ) 및 제2 MTJ를 포함한다. 제1 MTJ는 제1 직경을 갖고, 제2 MTJ는 제2 직경을 갖고, 제2 직경은 제1 직경보다 작다. MRAM 셀은, 제1 MTJ와 제2 MTJ에 연결된 트랜지스터, 제1 MTJ와 제2 MTJ에 연결된 비트 라인, 트랜지스터에 연결된 워드 라인, 및 트랜지스터에 연결된 소스 라인을 더 포함한다. MRAM 셀에 기록하는 방법은, MRAM 셀의 초기...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 예시적인 자기 저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 셀은 하나보다 많은 비트를 저장하도록 구성된다. MRAM 셀은 병렬로 연결된 제1 자기 터널링 접합(MTJ) 및 제2 MTJ를 포함한다. 제1 MTJ는 제1 직경을 갖고, 제2 MTJ는 제2 직경을 갖고, 제2 직경은 제1 직경보다 작다. MRAM 셀은, 제1 MTJ와 제2 MTJ에 연결된 트랜지스터, 제1 MTJ와 제2 MTJ에 연결된 비트 라인, 트랜지스터에 연결된 워드 라인, 및 트랜지스터에 연결된 소스 라인을 더 포함한다. MRAM 셀에 기록하는 방법은, MRAM 셀의 초기 메모리 상태 및 원하는 메모리 상태에 따라 MRAM 셀에 하나 이상의 기록 전압(예컨대, 상이한 레벨을 가짐)을 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
An exemplary magnetoresistive random-access memory (MRAM) cell is configured to store more than one bit. The MRAM cell includes a first magnetic tunneling junction (MTJ) and a second MTJ connected in parallel. The first MTJ has a first diameter, the second MTJ has a second diameter, and the second diameter is less than the first diameter. The MRAM cell further includes a transistor connected to the first MTJ and the second MTJ, a bit line connected to the first MTJ and the second MTJ, a word line connected to the transistor, and a source line connected to the transistor. A method of writing to the MRAM cell can include supplying one or more write voltages to the MRAM cell (e.g., having different levels) depending on an initial memory state and a desired memory state of the MRAM cell. |
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