METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE OF A SEMICONDUCTOR WAFER

반도체 웨이퍼 질량 계측 방법은: 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하고, 그리고 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 검출된 정보에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어함으로써 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계로서, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것을 포함하는, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계; 및 후속하여 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역 상으로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함한다. A semiconductor wafer ma...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HARRISON PAUL, BERRY MARK, ELLIOTT GREGOR, TONNIS ERIC
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS COLORIMETRY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT MEASURING PHYSICS RADIATION PYROMETRY SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING WEIGHING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	반도체 웨이퍼 질량 계측 방법은: 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하고, 그리고 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 검출된 정보에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어함으로써 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계로서, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것을 포함하는, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계; 및 후속하여 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역 상으로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함한다. A semiconductor wafer mass metrology method comprising: controlling the temperature of a semiconductor wafer by: detecting information relating to the temperature of the semiconductor wafer; and controlling cooling or heating of the semiconductor wafer based on the detected information relating to the temperature of the semiconductor wafer; wherein controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer comprises controlling a duration of the cooling or heating of the semiconductor wafer; and subsequently loading the semiconductor wafer onto a measurement area of a semiconductor wafer mass metrology apparatus.